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单晶硅方棒技术规格

编号

NO.

项目

规格

单位UNITS

ITEMS

SPECIFICATIONS

1

拉制方式

CZ


Growing Method

2

材 料

单晶硅


Material

Monocrystalline Silicon

3

导电类型&掺杂剂

P/Boron or N/phosphorus


Type & Dopant

4

硅片尺寸

125*125

156*156

mm

Wafer Size

(见硅片页面)     

    (See wafer page)

5

直径

150,160,165

200

mm

Diameter

6

垂直度

90±0.3

deg

Perpendicularity

7

长度

100---500

mm

Length

8

电阻率

P-type : 1 - 3 

N-type : specified by customer

Ω·cm

Resistivity

9

少子寿命

P-type : ≥ 10

N-type : ≥ 1000

μs

Minority Carrier Life

10

晶向

<100> ±2.0

deg

Orientation

11

位错密度

≤ 3000

pcs/cm2

Dislocation Density

12

氧含量

≤ 1*1018 (ASTM F121-83)

atoms/cm3

Oxygen Content

13

碳含量

≤ 5*1016  (ASTM F123-83)

atoms/cm3

Carbon Content

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